SK海力士与台积电达成合作协议，共同开发下一代HBM技术
韩国半导体公司SK海力士于4月18日宣布，他们与台积电达成了一项合作协议，旨在合作生产下一代高带宽内存（HBM），并通过先进的封装技术提高逻辑和HBM的集成度。
根据公布的消息，双方签署了一份谅解备忘录，计划共同致力于研发HBM4，即HBM系列的第六代产品。预计该项技术将于2026年开始量产。这意味着双方将联手开发下一代HBM技术，并利用先进的封装技术来提升产品性能。
据了解，双方的合作重点将放在提高安装在HBM封装最底部的基础芯片的性能上。此外，他们还将共同优化SK海力士的HBM和台积电的CoWoS（Chip-on-Wafer-on-Substrate）技术的整合，以满足客户对HBM的共同需求。
这一合作旨在加强双方在尖端封装技术和高性能内存领域的竞争优势，并推动下一代HBM技术的发展。通过整合双方的技术和资源，他们希望能够为市场提供更先进、更高性能的内存解决方案，以满足不断增长的数据处理需求。
这次合作将为全球半导体产业带来更多创新，同时也将加速HBM技术的普及和应用，为未来的数据中心、人工智能和其他领域的应用提供更强大的支持。
